碳化硅衬底会成为半导体产业新宠吗？
碳化硅衬底：半导体产业的核心上游
进入21世纪以来，半导体产业发展迅猛，新技术、新材料不断涌现。在这其中，碳化硅衬底逐渐崭露头角，成为了半导体产业未来发展的重要方向。
碳化硅衬底的独特优势
碳化硅作为第三代半导体的代表，具有一系列令人瞩目的特点。禁带宽度大意味着它能够在更高的温度和电压下工作，饱和电子漂移速率高和击穿电场高使其在高频和高功率应用中表现出色，而热导率高则有助于有效地散热。这些特性使得碳化硅能够突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，为开发新一代半导体器件提供了可能。
碳化硅衬底在产业链中的核心地位
在整个半导体产业链中，碳化硅衬底占据着至关重要的位置。据CASA的研究数据，碳化硅衬底占器件制造成本的47%，是SiC器件制造的核心环节。它就如同是高楼大厦的基石，为整个产业的发展奠定了坚实的基础。
碳化硅衬底的分类与应用
碳化硅衬底分为导电型和半绝缘型两类。导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件，比如在新能源汽车领域，它能够帮助车辆实现更高的续航里程、更短的充电时间和更大的电池容量。半绝缘型碳化硅衬底则主要应用于制造氮化镓射频器件，在通信基站、雷达等领域发挥着重要作用。
需求端：新能源汽车引领导电型衬底增长
在需求端，新能源汽车的发展为导电型碳化硅衬底带来了巨大的增长机遇。随着新能源汽车高电压平台订单的放量，对于导电型碳化硅衬底的需求日益旺盛。这不仅是因为碳化硅衬底能够提升汽车的性能，更是因为它符合了新能源汽车行业对于高效、节能的追求。
需求端：半绝缘型衬底在射频器件市场的竞争
在半绝缘型衬底方面，根据Yole的预测，2025年功率在3W以上的射频器件市场中，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。这意味着半绝缘型碳化硅衬底在射频器件领域的应用前景广阔。
供给端：全球碳化硅衬底产业的扩产与突破
2023年以来，全球碳化硅半导体市场迎来了快速发展的放量期。国际巨头纷纷加大投入，实施扩产计划，国内企业也不甘示弱，纷纷跟进。从供应链的角度来看，6英寸SiC器件市场竞争激烈，8英寸则成为了厂商们未来的突破方向。目前，国内已有多家厂商在8英寸衬底方面取得了进展，进入了送样、小批量生产阶段，未来有望实现大规模量产。
价格端：碳化硅衬底价格的走势与预测
在价格方面，CASA预测碳化硅衬底价格每年下降5%-10%，但我们预计未来仍然有15%-30%的下降空间。随着技术的进步和市场的竞争，碳化硅衬底的价格逐渐下降，这将有助于推动其在更多领域的广泛应用。
风险因素与应对策略
碳化硅衬底的发展并非一帆风顺。行业竞争加剧、高压快充渗透率不及预期、产能建设不及预期、成本降低不及预期、国家产业政策变化以及贸易摩擦等风险因素都可能对其发展产生不利影响。面对这些风险，企业和投资者需要保持警惕，制定合理的应对策略。
碳化硅衬底作为半导体产业的核心上游，其未来的发展充满了机遇和挑战。在新能源汽车、通信等领域的需求驱动下，以及在技术进步和产业升级的推动下，相信碳化硅衬底将在半导体产业中发挥更加重要的作用。
相关问答
什么是碳化硅衬底？
碳化硅衬底是位于碳化硅产业链核心上游的基础材料，用于制造碳化硅器件，具有独特的物理特性，能突破传统硅基半导体的限制。
碳化硅衬底有哪些类型？
分为导电型和半绝缘型两类，导电型用于制造功率器件，半绝缘型用于制造氮化镓射频器件。
新能源汽车如何推动碳化硅衬底需求增长？
新能源汽车追求高续航里程、短充电时间和大电池容量，采用碳化硅衬底的功率器件能满足这些需求，从而带动其需求上升。
全球碳化硅衬底产业的供给现状如何？
2023年以来市场快速发展并放量，国际巨头和国内企业纷纷扩产，6英寸竞争激烈，8英寸有望突破量产。
碳化硅衬底价格未来走势怎样？
预计会持续下降，CASA预测每年降5%-10%，但可能仍有15%-30%的下降空间。
碳化硅衬底发展面临哪些风险？
包括行业竞争加剧、高压快充渗透不及预期、产能建设问题、成本降低困难、政策变化和贸易摩擦等风险。